અણુની રચનામાં કયા પ્રકારની ઇલેક્ટ્રોનિક અસરો જોવા મળે છે?

નીચેના અણુમાં હાઇડ્રોજન પરમાણુઓ $(H_a, H_b, H_c)$ ને તેમની એસિડિક પ્રબળતા અનુસાર ક્રમમાં ગોઠવો.

નીચેની રચનાઓ ધ્યાનમાં લો:
$I.$ $CH_3-CH_2-COOH$
$II.$ $CH_3-CH(Cl)-COOH$
$III.$ $Cl-CH_2-CH_2-COOH$
$IV.$ $CH_3-CH_2-CH_2-COOH$
તેમની એસિડિકતાનો સાચો ક્રમ કયો છે?

નીચેનામાંથી કયા વિધાનો સાચા નથી?
$a$. રેઝોનન્સ હાઇબ્રિડ બંધારણની ઉર્જા અણુના સંભવિત કેનોનિકલ બંધારણો કરતા વધારે હોય છે.
$b$. જ્યારે ઇન્ડક્ટિવ અસર અને ઇલેક્ટ્રોમેરિક અસર વિરુદ્ધ દિશામાં કાર્ય કરે છે,ત્યારે ઇલેક્ટ્રોમેરિક અસર પ્રભાવી હોય છે.
$c$. જ્યારે મલ્ટિપલ બોન્ડના $\pi$ ઇલેક્ટ્રોન તે પરમાણુ પર સ્થાનાંતરિત થાય છે જેની સાથે આક્રમણ કરનાર પ્રક્રિયક જોડાતો નથી,ત્યારે તેને $+E$ અસર કહેવામાં આવે છે.
$d$. વિરુદ્ધ વીજભારના અલગીકરણ સાથેના રેઝોનન્સ બંધારણો વધુ સ્થિર હોય છે.

આપેલ સંયોજનમાં $X$ તરીકે નીચેનામાંથી કયો સમૂહ હોવાથી તેના $pKa$ મૂલ્યમાં ઘટાડો થાય છે?

નીચેના સંયોજનોને વધતી જતી એસિડિકતાના ક્રમમાં ગોઠવો (સૌથી નિર્બળ એસિડ પહેલા).